点击图片查看原图
西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。
作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率器件测试服务中心，长禾实验室严格遵循国际标准，致力于为国内外客户提供一站式、全方位的专业测试服务。实验室配备功率半导体测试设备和自动化测试平台，全面覆盖IGBT、MOSFET、二极管、晶闸管等核心功率器件的参数验证、可靠性评估和失效分析。凭借卓越的技术实力和创新能力，已成长为国内少数具备全链条功率器件测试、筛选及老化服务的权威机构之一。业务涵盖了轨道交通、新能源发电（风电、光伏）、新能源汽车、军工国防、工业控制、科研机构等多个领域，为中国核心产业链提供坚实的技术保障。
完善的基础设施和优秀团队一直是实验室强化的重点，实验室核心团队大多来自国内军工行业，研究生占比70%以上，具备深厚的学术背景和丰富的行业经验。在质量控制方面，实验室建立了完善的质量管理体系，严格执行实验室管理标准。每个测试项目均建立了详细的作业指导书，确保测试过程的标准化和可追溯性，数据的准确性和可靠性。
长禾实验室秉持“严谨求实、创新引领、精益求精”的企业精神，致力于推动中国功率半导体产业链的高质量发展，助力打造具备全球竞争力的半导体生态系统。未来，长禾实验室将继续发挥技术和资源优势，立足西安，辐射全国，努力成长为国际一流的功率半导体测试与验证服务平台，助力中国“芯”腾飞！
功率器件参数验证与二次筛选测试：保障器件性能稳定，助力客户优化供应链质量控制。
车规级元器件检测与认证：针对新能源汽车领域，提供符合严苛车规标准的功率器件筛选与可靠性验证，助力行业客户突破核心技术瓶颈。
环境与老化实验：模拟极端环境下器件工作状态，确保产品在复杂工况中长期可靠运行。
|
高温反偏试验（HTRB） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度最高150℃；电压最高5000V； |
|
高温栅偏试验（HTGB） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。 试验对象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度最高150℃；电压最高100V； |
|
高温高湿反偏试验（H3TRB） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度85℃，湿度范围：25%~95%，电压最高4500V； |
|
功率老炼测试 |
试验对象：IGBT、TVS、压敏电阻VDR； 试验能力：检测最大电压：4500V，检测最大电流：200A |
|
间歇寿命试验（IOL） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ； 试验对象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件； 检测能力：ΔTj≧100℃ 电压最大60V，电流最大50A。 |
|
功率循环试验（PC） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ； 试验对象：IGBT模块； 检测能力：ΔTj=100℃，电压最大30V，电流最大1800A； |
|
热阻测试（Riath） |
执行标准：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6； 试验对象：各类二极管； 试验能力：瞬态热阻、稳态热阻 |
高温反偏HTRB可靠性验证第三方实验室
网址：https://www.wanfaw.com/gongying/show-41159.html
