MOS管雪崩能量测试中心第三方实验室

 西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。

作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率器件测试服务中心，长禾实验室严格遵循国际标准，致力于为国内外客户提供一站式、全方位的专业测试服务。实验室配备功率半导体测试设备和自动化测试平台，全面覆盖IGBT、MOSFET、二极管、晶闸管等核心功率器件的参数验证、可靠性评估和失效分析。凭借卓越的技术实力和创新能力，已成长为国内少数具备全链条功率器件测试、筛选及老化服务的权威机构之一。业务涵盖了轨道交通、新能源发电（风电、光伏）、新能源汽车、军工国防、工业控制、科研机构等多个领域，为中国核心产业链提供坚实的技术保障。

完善的基础设施和优秀团队一直是实验室强化的重点，实验室核心团队大多来自国内军工行业，研究生占比70%以上，具备深厚的学术背景和丰富的行业经验。在质量控制方面，实验室建立了完善的质量管理体系，严格执行实验室管理标准。每个测试项目均建立了详细的作业指导书，确保测试过程的标准化和可追溯性，数据的准确性和可靠性。

长禾实验室秉持“严谨求实、创新引领、精益求精”的企业精神，致力于推动中国功率半导体产业链的高质量发展，助力打造具备全球竞争力的半导体生态系统。未来，长禾实验室将继续发挥技术和资源优势，立足西安，辐射全国，努力成长为国际一流的功率半导体测试与验证服务平台，助力中国“芯”腾飞

正向浪涌电流测试	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义； 试验对象：DIODE（Si/SiC）、整流桥、SCR、IGBT； 试验能力：检测最大电流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。 试验参数：浪涌电流IFSM/ITSM、i2t
雷击浪涌	非标
雪崩耐量测试（UIS）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义； 试验对象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件； 试验能力：检测最大电压：4500V，检测最大电流：200A 试验参数：雪崩能量EAS
介电性测试	执行标准：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007； 试验对象：Si、SiC·MOSFET； 试验能力：检测最大电压：4500V，检测最大电流：200A

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