环境老炼

高温存储试验（HTSL）

执行标准：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：温度最高220℃；

低温存储试验（LTSL）

执行标准：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：温度最低-70℃。

高低温循环试验（TC）

执行标准：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：温度范围：-40℃~175℃。

温度冲击试验

执行标准：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：温度范围：-70℃~220℃。

高温蒸煮试验（PCT）

执行标准：GB/T 4937.4-2012‌、JESD22-A110D-2010‌

IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008‌；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：‌温度范围‌：105℃到142.9℃之间；湿度范围‌： 75%到100%RH。

压力范围‌：0.02MPa到0.186MPa。

可焊性试验

执行标准：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

振动试验

执行标准：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验方法：模拟产品在运输、安装及使用环境下所遭遇到的各种振动环境影响，主要用于评定元器件、零部件及整机在预期的运输及使用环境中的抵抗能力，以了解产品的耐振寿命和性能指标的稳定性。

盐雾试验

执行标准：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验方法：通过人工模拟盐雾环境条件来考核产品或金属材料耐腐蚀性能的环境试验。一般用于对材料(表面镀层)或表面处理工艺进行评价、筛选、对比，确定产品中潜在问题的区域和部位,发现质量控制的不足,寻找设计缺陷等。